什么是载流子迁移率？

什么是载流子迁移率？

半导体的电导率，除了取决于载流子浓度外，还和载流子迁移率有关。载流子（电子或空穴）在没有电场时作无规则运动，由于运动方向不断改变，平均位移等于零，所以不产生电流效应，载流子不断改变运动方向是因为在晶格里面和原子碰撞的结果。经过一次碰撞，改变一次方向，这种现象称为散射。载流子约平均每走几十或几百个原子距离（10-7～10-6cm），就和原子发生一次碰撞。 

当在外界电场的加速作用下，载流子就开始顺着或逆着电场作定向移动，由于和原子碰撞，这种碰撞也不是连续的，而是断续的，由一次碰撞开始，到下一次碰撞为止。但是各次位移不再自相抵消，而是以一个平均速度漂移。这种运动称为漂移运动，平均速度称为漂移速度。 

载流子的漂移速度与电场强度成正比。设E为电场强度，则： 

式中　μ——比例常数。 

这一比例常数就是所谓迁移率。 

迁移率是用来说明载流子导电运动的一个物理量，就是当电场强度为1V/cm时，载流子的漂移速度。迁移率的单位是cm2/（V·s）。 

例如，硅的电子迁移率为1350cm2/（V·s），就是说，当电场强度为1V/cm时，电子在硅晶体中以1350cm/s的速度向正电极漂移。 

半导体的电导率与载流子的浓度和迁移率的关系为：电导率=载流子浓度×载流子所带电荷×迁移率。 

对于N型半导体的电导率σn： σn=nqu

式中　n——电子浓度； q——电子电荷； u——电子迁移率。 

对于P型半导体的电导率σp： σp=ρ1q1u1

式中　ρ1——空穴浓度； q1——空穴电荷； u1——空穴迁移率。 

电导率是电阻率的倒数。