P型和N型半导体独立存在时是怎样的情况?形成P-N结后又是怎样的情况?
如图1所示,这是一块P型和一块N型半导体独立存在时的情况。此时,P型与N型半导体是各自单独存在的,并没有形成P-N结。从图中可以看出,它们单独存在时,在P型半导体中,成为载流子的空穴具有正电荷,而所生成的阴离子在电量上与它们相等。同理,在N型半导体中也由于电子与阳离子的电量相等而呈中性。
图1 一块P型和一块N型半导体独立存在时示意
如图2所示,当P型与N型两种半导体结合在一起时,由于交界面处存在载流子浓度的差异,这样电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。P型区的空穴向N型区扩散,而N型区的电子向P型区扩散。但是,电子和空穴都是带电的,它们扩散的结果就使P型区和N型区中原来的电中性条件破坏了。P型区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子,N型区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为空间电荷,它们集中在P型区和N型区交界面附近,形成了一个很薄的空间电荷区,这就是人们所说的P-N结。
图2 一块P型和一块N型半导体形成P-N结示意
不管是电子还是空穴的迁移都是靠电子的运动来实现的。这样就在P-N结两侧发生电子与空穴的复合。这种复合过程可以想象为,一个电子碰到了空穴,电子进入空穴正好填补了空穴所缺的电子,这样空穴就消失,因为填补空穴的电子并非来自邻近原子的价电子,所以并未产生新的空穴,所以就没有发生空穴的位移。而来自导带的电子填充了空穴,变成受束缚的价电子,也不参加导电。这样在P-N结两侧的一定尺寸的范围内可移动的载流子基本上消失,也就是耗尽,因此,这个层在学术上被称为“耗尽层”。
P型区一侧呈现负电荷,N型区一侧呈现正电荷,因此空间电荷区出现了方向由N型区指向P型区的电场,由于这个电场是载流子扩散运动形成的,而不是外加电压形成的,故称为内电场。
内电场是由多子的扩散运动引起的,伴随着它的建立将带来两种影响:一是内电场将阻碍多子的扩散;二是P型区和N型区的少子一旦靠近P-N结,便在内电场的作用下漂移到对方,使空间电荷区变窄。因此,扩散运动使空间电荷区加宽,内电场增强,有利于少子的漂移而不利于多子的扩散;而漂移运动使空间电荷区变窄,内电场减弱,有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。
当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时,交界面形成稳定的空间电荷区,即P-N结处于动态平衡。
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admin 回答于11-06
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请问如何注册呢
Quinn 回答于11-03
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访客 回答于08-15
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admin 回答于07-20
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admin 回答于07-20
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