什么是P-I-N结？

什么是P-I-N结？

非晶硅薄膜太阳能光伏电池的结构不同于单晶硅和多晶硅太阳能光伏电池中的简单的P-N结结构，而是P-I-N结结构。 

其原因是，由于非晶硅材料属于短程有序，而长程无序的结构，对载流子有很强的散射作用，导致载流子的扩散长度很短，使得光生载流子在太阳能光伏电池中只有漂移运动，而无扩散运动。因此，单纯的非晶硅P-N结中，隧道电流往往占主导地位，使其呈电阻特性，而无整流特性，也就不能制作太阳能光伏电池。为了扼制其隧道电流，以解决光生载流子由于扩散限制而很快复合（即隧道电流）的问题，在P层与N层之间加入较厚的本征层I。在P层与N层加入本征层I后，P-N结就变成了P-I-N结。其中P为入射光层，I为本征吸收层，N为基底层。非晶硅薄膜太阳能光伏电池一般被设计成P-I-N结结构。