什么是三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法？

什么是三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法？

用三氯氢硅和四氯化硅混合源生产多晶硅的方法，涉及一种全新的氢还原生产多晶硅的工艺。首先，在0.5～0.8atm

的干燥惰性气体保护下对三氯氢硅（SiHCl3）、四氯化硅（SiCl4）进行精炼纯化，其纯度达到9～10个“9”；同时对氢气也进行纯化到5～6个“9”；然后，将上述物料按照硅转化率0.08％及氯氢比0.15％所规定的流量，喷入氢还原炉，其还原温度控制在1145～1155℃，炉身、炉底温度保持在150℃；最后，在炉内硅棒上制得低成本、高质量、高产率的产品多晶硅。该方法充分利用生产过程中产生的SiCl4、HCl等，达到既保证高质量、高产率，又降低原材料工业硅、氢气及氯气的消耗，从而降低成本。